TH58BYG2S3HBAI6 | Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.) TH58BYG2S3HBAI6

TH58BYG2S3HBAI6

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Numéro d'article	TH58BYG2S3HBAI6
LIXINC Part #	TH58BYG2S3HBAI6
Fabricant	Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
Catégorie	circuits intégrés › mémoire
Description	IC FLASH 4GBIT PARALLEL 67VFBGA
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	TH58BYG2S3HBAI6 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 06 - Oct 10 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

TH58BYG2S3HBAI6 Caractéristiques

Numéro d'article:	TH58BYG2S3HBAI6
Marque:	Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	mémoire
Fabricant:	Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
série:	Benand™
emballer:	Tray
état de la pièce:	Active
type de mémoire:	Non-Volatile
formatage de la mémoire:	FLASH
technologie:	FLASH - NAND (SLC)
taille mémoire:	4Gb (512M x 8)
interface mémoire:	Parallel
fréquence d'horloge:	-
temps de cycle d'écriture - mot, page:	25ns
temps d'accès:	25 ns
tension - alimentation:	1.7V ~ 1.95V
température de fonctionnement:	-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	67-VFBGA
paquet de dispositif de fournisseur:	67-VFBGA (6.5x8)

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