MT29RZ4B4DZZMGWD-18I.80C TR

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Numéro d'article MT29RZ4B4DZZMGWD-18I.80C TR
LIXINC Part # MT29RZ4B4DZZMGWD-18I.80C TR
Fabricant Micron Technology
Catégorie circuits intégrésmémoire
Description IC FLASH RAM 4G PAR 162VFBGA
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO MT29RZ4B4DZZMGWD-18I.80C TR Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 18 - Oct 22 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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MT29RZ4B4DZZMGWD-18I.80C TR Caractéristiques

Numéro d'article:MT29RZ4B4DZZMGWD-18I.80C TR
Marque:Micron Technology
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Micron Technology
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Last Time Buy
type de mémoire:Non-Volatile
formatage de la mémoire:FLASH, RAM
technologie:FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2
taille mémoire:4Gb (128M x 32)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR2)
interface mémoire:Parallel
fréquence d'horloge:533 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:-
temps d'accès:-
tension - alimentation:1.8V
température de fonctionnement:-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:162-VFBGA
paquet de dispositif de fournisseur:162-VFBGA (10.5x8)

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