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CYD09S72V18-200BGXI

CYD09S72V18-200BGXI
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Numéro d'article CYD09S72V18-200BGXI
LIXINC Part # CYD09S72V18-200BGXI
Fabricant Rochester Electronics
Catégorie circuits intégrés › mémoire
Description IC SRAM 9MBIT PARALLEL 484FBGA
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO CYD09S72V18-200BGXI Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 20 - Oct 24 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

CYD09S72V18-200BGXI Caractéristiques

Numéro d'article:CYD09S72V18-200BGXI
Marque:Rochester Electronics
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Rochester Electronics
série:-
emballer:Tray
état de la pièce:Obsolete
type de mémoire:Volatile
formatage de la mémoire:SRAM
technologie:SRAM - Dual Port, Synchronous
taille mémoire:9Mb (128K x 72)
interface mémoire:Parallel
fréquence d'horloge:200 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:-
temps d'accès:3.3 ns
tension - alimentation:1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V
température de fonctionnement:-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:484-FBGA
paquet de dispositif de fournisseur:484-FBGA (23x23)

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