IS61QDPB22M18A-333M3L

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Numéro d'article IS61QDPB22M18A-333M3L
LIXINC Part # IS61QDPB22M18A-333M3L
Fabricant ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Catégorie circuits intégrésmémoire
Description IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165LFBGA
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO IS61QDPB22M18A-333M3L Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 21 - Oct 25 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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IS61QDPB22M18A-333M3L Caractéristiques

Numéro d'article:IS61QDPB22M18A-333M3L
Marque:ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
série:-
emballer:Tray
état de la pièce:Active
type de mémoire:Volatile
formatage de la mémoire:SRAM
technologie:SRAM - Synchronous, QUADP
taille mémoire:36Mb (2M x 18)
interface mémoire:Parallel
fréquence d'horloge:333 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:-
temps d'accès:8.4 ns
tension - alimentation:1.71V ~ 1.89V
température de fonctionnement:0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:165-LBGA
paquet de dispositif de fournisseur:165-LFBGA (13x15)

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