MT41K256M16TW-107 V:P | Micron Technology MT41K256M16TW-107 V:P | MT41K256M16TW-107 V:P Inventory, Best Pricing

MT41K256M16TW-107 V:P

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	MT41K256M16TW-107 V:P
LIXINC Part #	MT41K256M16TW-107 V:P
Fabricant	Micron Technology
Catégorie	circuits intégrés › mémoire
Description	IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	MT41K256M16TW-107 V:P Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 25 - Oct 29 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

MT41K256M16TW-107 V:P Caractéristiques

Numéro d'article:	MT41K256M16TW-107 V:P
Marque:	Micron Technology
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	mémoire
Fabricant:	Micron Technology
série:	-
emballer:	Tray
état de la pièce:	Obsolete
type de mémoire:	Volatile
formatage de la mémoire:	DRAM
technologie:	SDRAM - DDR3L
taille mémoire:	4Gb (256M x 16)
interface mémoire:	Parallel
fréquence d'horloge:	933 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:	-
temps d'accès:	20 ns
tension - alimentation:	1.283V ~ 1.45V
température de fonctionnement:	0°C ~ 95°C (TC)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	96-TFBGA
paquet de dispositif de fournisseur:	96-FBGA (8x14)