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MT47H128M8SH-25E AAT:M

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Numéro d'article MT47H128M8SH-25E AAT:M
LIXINC Part # MT47H128M8SH-25E AAT:M
Fabricant Micron Technology
Catégorie circuits intégrés › mémoire
Description IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO MT47H128M8SH-25E AAT:M Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 09 - Sep 13 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

MT47H128M8SH-25E AAT:M Caractéristiques

Numéro d'article:MT47H128M8SH-25E AAT:M
Marque:Micron Technology
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Micron Technology
série:Automotive, AEC-Q100
emballer:Tray
état de la pièce:Obsolete
type de mémoire:Volatile
formatage de la mémoire:DRAM
technologie:SDRAM - DDR2
taille mémoire:1Gb (128M x 8)
interface mémoire:Parallel
fréquence d'horloge:400 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:15ns
temps d'accès:400 ps
tension - alimentation:1.7V ~ 1.9V
température de fonctionnement:-40°C ~ 105°C (TC)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:60-TFBGA
paquet de dispositif de fournisseur:60-FBGA (8x10)

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