CY7C197N-25PXC

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Numéro d'article	CY7C197N-25PXC
LIXINC Part #	CY7C197N-25PXC
Fabricant	Cypress Semiconductor
Catégorie	circuits intégrés › mémoire
Description	IC SRAM 256KBIT PARALLEL 24DIP
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	CY7C197N-25PXC Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 20 - Oct 24 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

CY7C197N-25PXC Caractéristiques

Numéro d'article:	CY7C197N-25PXC
Marque:	Cypress Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	mémoire
Fabricant:	Cypress Semiconductor
série:	-
emballer:	Tube
état de la pièce:	Obsolete
type de mémoire:	Volatile
formatage de la mémoire:	SRAM
technologie:	SRAM - Asynchronous
taille mémoire:	256Kb (256K x 1)
interface mémoire:	Parallel
fréquence d'horloge:	-
temps de cycle d'écriture - mot, page:	25ns
temps d'accès:	25 ns
tension - alimentation:	4.5V ~ 5.5V
température de fonctionnement:	0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage:	Through Hole
paquet / caisse:	24-DIP (0.300", 7.62mm)
paquet de dispositif de fournisseur:	24-PDIP

CY7C197N-25PXC Documents

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