MB85R256FPF-G-BNDE1

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Numéro d'article MB85R256FPF-G-BNDE1
LIXINC Part # MB85R256FPF-G-BNDE1
Fabricant Fujitsu Electronics America, Inc.
Catégorie circuits intégrésmémoire
Description IC FRAM 256KBIT PARALLEL 28SOP
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO MB85R256FPF-G-BNDE1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 24 - Oct 28 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

MB85R256FPF-G-BNDE1 Caractéristiques

Numéro d'article:MB85R256FPF-G-BNDE1
Marque:Fujitsu Electronics America, Inc.
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Fujitsu Electronics America, Inc.
série:-
emballer:Tray
état de la pièce:Obsolete
type de mémoire:Non-Volatile
formatage de la mémoire:FRAM
technologie:FRAM (Ferroelectric RAM)
taille mémoire:256Kb (32K x 8)
interface mémoire:Parallel
fréquence d'horloge:-
temps de cycle d'écriture - mot, page:150ns
temps d'accès:150 ns
tension - alimentation:2.7V ~ 3.6V
température de fonctionnement:-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:28-SOIC (0.342", 8.69mm Width)
paquet de dispositif de fournisseur:28-SOP

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