MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR | Micron Technology MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR | MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR Inventory, Best Pricing

MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR

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Numéro d'article	MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR
LIXINC Part #	MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR
Fabricant	Micron Technology
Catégorie	circuits intégrés › mémoire
Description	IC FLASH 512GBIT PAR 48TSOP I
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 23 - Oct 27 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR Caractéristiques

Numéro d'article:	MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR
Marque:	Micron Technology
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	mémoire
Fabricant:	Micron Technology
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Active
type de mémoire:	Non-Volatile
formatage de la mémoire:	FLASH
technologie:	FLASH - NAND (MLC)
taille mémoire:	512Gb (64G x 8)
interface mémoire:	Parallel
fréquence d'horloge:	100 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:	-
temps d'accès:	-
tension - alimentation:	2.7V ~ 3.6V
température de fonctionnement:	0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
paquet de dispositif de fournisseur:	48-TSOP I