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R1RW0408DGE-0PI#B0

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Numéro d'article R1RW0408DGE-0PI#B0
LIXINC Part # R1RW0408DGE-0PI#B0
Fabricant Renesas Electronics America
Catégorie circuits intégrés › mémoire
Description IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO R1RW0408DGE-0PI#B0 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 24 - Oct 28 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

R1RW0408DGE-0PI#B0 Caractéristiques

Numéro d'article:R1RW0408DGE-0PI#B0
Marque:Renesas Electronics America
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Renesas Electronics America
série:-
emballer:Tray
état de la pièce:Obsolete
type de mémoire:Volatile
formatage de la mémoire:SRAM
technologie:SRAM
taille mémoire:4Mb (512K x 8)
interface mémoire:Parallel
fréquence d'horloge:-
temps de cycle d'écriture - mot, page:10ns
temps d'accès:10 ns
tension - alimentation:4.5V ~ 5.5V
température de fonctionnement:-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
paquet de dispositif de fournisseur:36-SOJ

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