R1RW0408DGE-2PR#B1 | Renesas Electronics America R1RW0408DGE-2PR#B1 | R1RW0408DGE-2PR#B1 Inventory, Best Pricing

R1RW0408DGE-2PR#B1

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Numéro d'article	R1RW0408DGE-2PR#B1
LIXINC Part #	R1RW0408DGE-2PR#B1
Fabricant	Renesas Electronics America
Catégorie	circuits intégrés › mémoire
Description	IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	R1RW0408DGE-2PR#B1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

R1RW0408DGE-2PR#B1 Caractéristiques

Numéro d'article:	R1RW0408DGE-2PR#B1
Marque:	Renesas Electronics America
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	mémoire
Fabricant:	Renesas Electronics America
série:	-
emballer:	Tube
état de la pièce:	Active
type de mémoire:	Volatile
formatage de la mémoire:	SRAM
technologie:	SRAM
taille mémoire:	4Mb (512K x 8)
interface mémoire:	Parallel
fréquence d'horloge:	-
temps de cycle d'écriture - mot, page:	12ns
temps d'accès:	12 ns
tension - alimentation:	3V ~ 3.6V
température de fonctionnement:	0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
paquet de dispositif de fournisseur:	36-SOJ