IS43TR16128D-093NBLI | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) IS43TR16128D-093NBLI | IS43TR16128D-093NBLI Inventory, Best Pricing

IS43TR16128D-093NBLI

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Numéro d'article	IS43TR16128D-093NBLI
LIXINC Part #	IS43TR16128D-093NBLI
Fabricant	ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Catégorie	circuits intégrés › mémoire
Description	IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96TWBGA
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	IS43TR16128D-093NBLI Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 22 - Oct 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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IS43TR16128D-093NBLI Caractéristiques

Numéro d'article:	IS43TR16128D-093NBLI
Marque:	ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	mémoire
Fabricant:	ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
série:	Automotive, AEC-Q100
emballer:	Tray
état de la pièce:	Active
type de mémoire:	Volatile
formatage de la mémoire:	DRAM
technologie:	SDRAM - DDR3
taille mémoire:	2Gb (128M x 16)
interface mémoire:	Parallel
fréquence d'horloge:	1.066 GHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:	15ns
temps d'accès:	20 ns
tension - alimentation:	1.425V ~ 1.575V
température de fonctionnement:	-40°C ~ 95°C (TC)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	96-TFBGA
paquet de dispositif de fournisseur:	96-TWBGA (9x13)