BQ4010YMA-150

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Numéro d'article	BQ4010YMA-150
LIXINC Part #	BQ4010YMA-150
Fabricant	Texas Instruments
Catégorie	circuits intégrés › mémoire
Description	IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	BQ4010YMA-150 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 26 - Oct 30 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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BQ4010YMA-150 Caractéristiques

Numéro d'article:	BQ4010YMA-150
Marque:	Texas Instruments
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	mémoire
Fabricant:	Texas Instruments
série:	-
emballer:	Tube
état de la pièce:	Obsolete
type de mémoire:	Non-Volatile
formatage de la mémoire:	NVSRAM
technologie:	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
taille mémoire:	64Kb (8K x 8)
interface mémoire:	Parallel
fréquence d'horloge:	-
temps de cycle d'écriture - mot, page:	150ns
temps d'accès:	150 ns
tension - alimentation:	4.5V ~ 5.5V
température de fonctionnement:	0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage:	Through Hole
paquet / caisse:	28-DIP Module (0.61", 15.49mm)
paquet de dispositif de fournisseur:	28-DIP Module (18.42x37.72)

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