MT49H32M18CSJ-25E:B TR | Micron Technology MT49H32M18CSJ-25E:B TR | MT49H32M18CSJ-25E:B TR Inventory, Best Pricing

MT49H32M18CSJ-25E:B TR

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Numéro d'article	MT49H32M18CSJ-25E:B TR
LIXINC Part #	MT49H32M18CSJ-25E:B TR
Fabricant	Micron Technology
Catégorie	circuits intégrés › mémoire
Description	IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	MT49H32M18CSJ-25E:B TR Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 28 - Nov 01 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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MT49H32M18CSJ-25E:B TR Caractéristiques

Numéro d'article:	MT49H32M18CSJ-25E:B TR
Marque:	Micron Technology
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	mémoire
Fabricant:	Micron Technology
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Obsolete
type de mémoire:	Volatile
formatage de la mémoire:	DRAM
technologie:	DRAM
taille mémoire:	576Mb (32M x 18)
interface mémoire:	Parallel
fréquence d'horloge:	400 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:	-
temps d'accès:	15 ns
tension - alimentation:	1.7V ~ 1.9V
température de fonctionnement:	0°C ~ 95°C (TC)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	144-TFBGA
paquet de dispositif de fournisseur:	144-FBGA (18.5x11)