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EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR

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Numéro d'article	EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR
LIXINC Part #	EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR
Fabricant	Micron Technology
Catégorie	circuits intégrés › mémoire
Description	IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR Caractéristiques

Numéro d'article:	EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR
Marque:	Micron Technology
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	mémoire
Fabricant:	Micron Technology
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Active
type de mémoire:	Volatile
formatage de la mémoire:	DRAM
technologie:	SDRAM - Mobile LPDDR2
taille mémoire:	1Gb (64M x 16)
interface mémoire:	Parallel
fréquence d'horloge:	533 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:	-
temps d'accès:	-
tension - alimentation:	1.14V ~ 1.95V
température de fonctionnement:	-40°C ~ 105°C (TC)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	134-VFBGA
paquet de dispositif de fournisseur:	134-VFBGA (10x11.5)