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JS28F512M29EBHB TR

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Numéro d'article	JS28F512M29EBHB TR
LIXINC Part #	JS28F512M29EBHB TR
Fabricant	Micron Technology
Catégorie	circuits intégrés › mémoire
Description	IC FLASH 512MBIT PARALLEL 56TSOP
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	JS28F512M29EBHB TR Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 22 - Oct 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

JS28F512M29EBHB TR Caractéristiques

Numéro d'article:	JS28F512M29EBHB TR
Marque:	Micron Technology
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	mémoire
Fabricant:	Micron Technology
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Obsolete
type de mémoire:	Non-Volatile
formatage de la mémoire:	FLASH
technologie:	FLASH - NOR
taille mémoire:	512Mb (64M x 8, 32M x 16)
interface mémoire:	Parallel
fréquence d'horloge:	-
temps de cycle d'écriture - mot, page:	110ns
temps d'accès:	110 ns
tension - alimentation:	2.7V ~ 3.6V
température de fonctionnement:	-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
paquet de dispositif de fournisseur:	56-TSOP