CYD36S36V18-200BBXC

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Numéro d'article CYD36S36V18-200BBXC
LIXINC Part # CYD36S36V18-200BBXC
Fabricant Cypress Semiconductor
Catégorie circuits intégrésmémoire
Description IC SRAM 36MBIT PARALLEL 256FBGA
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO CYD36S36V18-200BBXC Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 31 - Nov 04 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
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CYD36S36V18-200BBXC Caractéristiques

Numéro d'article:CYD36S36V18-200BBXC
Marque:Cypress Semiconductor
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Cypress Semiconductor
série:-
emballer:Tray
état de la pièce:Obsolete
type de mémoire:Volatile
formatage de la mémoire:SRAM
technologie:SRAM - Dual Port, Synchronous
taille mémoire:36Mb (1M x 36)
interface mémoire:Parallel
fréquence d'horloge:200 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:-
temps d'accès:3.3 ns
tension - alimentation:1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V
température de fonctionnement:0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:256-LBGA
paquet de dispositif de fournisseur:256-FBGA (17x17)

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