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IS61NVF51236-7.5B3I

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Numéro d'article	IS61NVF51236-7.5B3I
LIXINC Part #	IS61NVF51236-7.5B3I
Fabricant	ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Catégorie	circuits intégrés › mémoire
Description	IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	IS61NVF51236-7.5B3I Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 08 - Oct 12 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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IS61NVF51236-7.5B3I Caractéristiques

Numéro d'article:	IS61NVF51236-7.5B3I
Marque:	ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	mémoire
Fabricant:	ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
série:	-
emballer:	Tray
état de la pièce:	Obsolete
type de mémoire:	Volatile
formatage de la mémoire:	SRAM
technologie:	SRAM - Synchronous, SDR
taille mémoire:	18Mb (512K x 36)
interface mémoire:	Parallel
fréquence d'horloge:	117 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:	-
temps d'accès:	7.5 ns
tension - alimentation:	2.375V ~ 2.625V
température de fonctionnement:	-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	165-TBGA
paquet de dispositif de fournisseur:	165-TFBGA (13x15)