NAND04GR3B2DN6E

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Numéro d'article	NAND04GR3B2DN6E
LIXINC Part #	NAND04GR3B2DN6E
Fabricant	Micron Technology
Catégorie	circuits intégrés › mémoire
Description	IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	NAND04GR3B2DN6E Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 07 - Oct 11 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

NAND04GR3B2DN6E Caractéristiques

Numéro d'article:	NAND04GR3B2DN6E
Marque:	Micron Technology
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	mémoire
Fabricant:	Micron Technology
série:	-
emballer:	Tray
état de la pièce:	Discontinued at Digi-Key
type de mémoire:	Non-Volatile
formatage de la mémoire:	FLASH
technologie:	FLASH - NAND
taille mémoire:	4Gb (512M x 8)
interface mémoire:	Parallel
fréquence d'horloge:	-
temps de cycle d'écriture - mot, page:	25ns
temps d'accès:	25 ns
tension - alimentation:	1.7V ~ 1.95V
température de fonctionnement:	-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
paquet de dispositif de fournisseur:	48-TSOP

NAND04GR3B2DN6E Documents

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