MSM5118165F-60T3K-MT | ROHM Semiconductor MSM5118165F-60T3K-MT | MSM5118165F-60T3K-MT Inventory, Best Pricing

MSM5118165F-60T3K-MT

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Numéro d'article	MSM5118165F-60T3K-MT
LIXINC Part #	MSM5118165F-60T3K-MT
Fabricant	ROHM Semiconductor
Catégorie	circuits intégrés › mémoire
Description	IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	MSM5118165F-60T3K-MT Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 07 - Oct 11 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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MSM5118165F-60T3K-MT Caractéristiques

Numéro d'article:	MSM5118165F-60T3K-MT
Marque:	ROHM Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	mémoire
Fabricant:	ROHM Semiconductor
série:	-
emballer:	Tray
état de la pièce:	Active
type de mémoire:	Volatile
formatage de la mémoire:	DRAM
technologie:	DRAM
taille mémoire:	16Mb (1M x 16)
interface mémoire:	Parallel
fréquence d'horloge:	-
temps de cycle d'écriture - mot, page:	-
temps d'accès:	30 ns
tension - alimentation:	4.5V ~ 5.5V
température de fonctionnement:	0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
paquet de dispositif de fournisseur:	50-TSOP II