71V256S10YG

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Numéro d'article	71V256S10YG
LIXINC Part #	71V256S10YG
Fabricant	Renesas Electronics America
Catégorie	circuits intégrés › mémoire
Description	IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	71V256S10YG Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 27 - Oct 31 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition

71V256S10YG Caractéristiques

Numéro d'article:	71V256S10YG
Marque:	Renesas Electronics America
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	mémoire
Fabricant:	Renesas Electronics America
série:	-
emballer:	Tube
état de la pièce:	Active
type de mémoire:	Volatile
formatage de la mémoire:	SRAM
technologie:	SRAM - Asynchronous
taille mémoire:	256Kb (32K x 8)
interface mémoire:	Parallel
fréquence d'horloge:	-
temps de cycle d'écriture - mot, page:	10ns
temps d'accès:	10 ns
tension - alimentation:	3V ~ 3.6V
température de fonctionnement:	0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
paquet de dispositif de fournisseur:	28-SOJ

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