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IS61LV12824-10B

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Numéro d'article IS61LV12824-10B
LIXINC Part # IS61LV12824-10B
Fabricant ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Catégorie circuits intégrés › mémoire
Description IC SRAM 3MBIT PARALLEL 119PBGA
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO IS61LV12824-10B Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 28 - Nov 01 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IS61LV12824-10B Caractéristiques

Numéro d'article:IS61LV12824-10B
Marque:ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
série:-
emballer:Tray
état de la pièce:Obsolete
type de mémoire:Volatile
formatage de la mémoire:SRAM
technologie:SRAM - Asynchronous
taille mémoire:3Mb (128K x 24)
interface mémoire:Parallel
fréquence d'horloge:-
temps de cycle d'écriture - mot, page:10ns
temps d'accès:10 ns
tension - alimentation:3.135V ~ 3.6V
température de fonctionnement:0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:119-BGA
paquet de dispositif de fournisseur:119-PBGA (14x22)

IS61LV12824-10B Documents

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