DS1258Y-100#

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Numéro d'article DS1258Y-100#
LIXINC Part # DS1258Y-100#
Fabricant Maxim Integrated
Catégorie circuits intégrésmémoire
Description IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 40EDIP
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO DS1258Y-100# Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
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DS1258Y-100# Caractéristiques

Numéro d'article:DS1258Y-100#
Marque:Maxim Integrated
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Maxim Integrated
série:-
emballer:Tube
état de la pièce:Obsolete
type de mémoire:Non-Volatile
formatage de la mémoire:NVSRAM
technologie:NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
taille mémoire:2Mb (128K x 16)
interface mémoire:Parallel
fréquence d'horloge:-
temps de cycle d'écriture - mot, page:100ns
temps d'accès:100 ns
tension - alimentation:4.5V ~ 5.5V
température de fonctionnement:0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage:Through Hole
paquet / caisse:40-DIP Module (0.610", 15.495mm)
paquet de dispositif de fournisseur:40-EDIP

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