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CYD36S18V18-200BGXC

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Numéro d'article CYD36S18V18-200BGXC
LIXINC Part # CYD36S18V18-200BGXC
Fabricant Cypress Semiconductor
Catégorie circuits intégrés › mémoire
Description IC SRAM 36MBIT PARALLEL 484FBGA
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO CYD36S18V18-200BGXC Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 08 - Oct 12 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

CYD36S18V18-200BGXC Caractéristiques

Numéro d'article:CYD36S18V18-200BGXC
Marque:Cypress Semiconductor
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Cypress Semiconductor
série:-
emballer:Tray
état de la pièce:Obsolete
type de mémoire:Volatile
formatage de la mémoire:SRAM
technologie:SRAM - Dual Port, Synchronous
taille mémoire:36Mb (2M x 18)
interface mémoire:Parallel
fréquence d'horloge:200 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:-
temps d'accès:3.3 ns
tension - alimentation:1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V
température de fonctionnement:0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:484-FBGA
paquet de dispositif de fournisseur:484-FBGA (23x23)

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