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IS61VPS51236A-200B3I

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Numéro d'article IS61VPS51236A-200B3I
LIXINC Part # IS61VPS51236A-200B3I
Fabricant ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Catégorie circuits intégrés › mémoire
Description IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO IS61VPS51236A-200B3I Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 09 - Oct 13 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IS61VPS51236A-200B3I Caractéristiques

Numéro d'article:IS61VPS51236A-200B3I
Marque:ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
série:-
emballer:Tray
état de la pièce:Obsolete
type de mémoire:Volatile
formatage de la mémoire:SRAM
technologie:SRAM - Synchronous, SDR
taille mémoire:18Mb (512K x 36)
interface mémoire:Parallel
fréquence d'horloge:200 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:-
temps d'accès:3.1 ns
tension - alimentation:2.375V ~ 2.625V
température de fonctionnement:-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:165-TBGA
paquet de dispositif de fournisseur:165-TFBGA (13x15)

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