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70V657S12DRI

70V657S12DRI
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Numéro d'article 70V657S12DRI
LIXINC Part # 70V657S12DRI
Fabricant Renesas Electronics America
Catégorie circuits intégrés › mémoire
Description IC SRAM 1.125MBIT PAR 208PQFP
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO 70V657S12DRI Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

70V657S12DRI Caractéristiques

Numéro d'article:70V657S12DRI
Marque:Renesas Electronics America
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Renesas Electronics America
série:-
emballer:Tray
état de la pièce:Obsolete
type de mémoire:Volatile
formatage de la mémoire:SRAM
technologie:SRAM - Dual Port, Asynchronous
taille mémoire:1.125Mb (32K x 36)
interface mémoire:Parallel
fréquence d'horloge:-
temps de cycle d'écriture - mot, page:12ns
temps d'accès:12 ns
tension - alimentation:3.15V ~ 3.45V
température de fonctionnement:-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:208-BFQFP
paquet de dispositif de fournisseur:208-PQFP (28x28)

70V657S12DRI Documents

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