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S29WS512R0SBHW200E

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Numéro d'article S29WS512R0SBHW200E
LIXINC Part # S29WS512R0SBHW200E
Fabricant Cypress Semiconductor
Catégorie circuits intégrés › mémoire
Description IC FLASH 512MBIT PARALLEL 84FBGA
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO S29WS512R0SBHW200E Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

S29WS512R0SBHW200E Caractéristiques

Numéro d'article:S29WS512R0SBHW200E
Marque:Cypress Semiconductor
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Cypress Semiconductor
série:WS-R
emballer:Tray
état de la pièce:Obsolete
type de mémoire:Non-Volatile
formatage de la mémoire:FLASH
technologie:FLASH - NOR
taille mémoire:512Mb (32M x 16)
interface mémoire:Parallel
fréquence d'horloge:104 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:60ns
temps d'accès:80 ns
tension - alimentation:1.7V ~ 1.95V
température de fonctionnement:-25°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:84-VFBGA
paquet de dispositif de fournisseur:84-FBGA (11.6x8)

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