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CY7C1021BN-12VXI

CY7C1021BN-12VXI
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Numéro d'article CY7C1021BN-12VXI
LIXINC Part # CY7C1021BN-12VXI
Fabricant Cypress Semiconductor
Catégorie circuits intégrés › mémoire
Description IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO CY7C1021BN-12VXI Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 07 - Oct 11 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

CY7C1021BN-12VXI Caractéristiques

Numéro d'article:CY7C1021BN-12VXI
Marque:Cypress Semiconductor
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Cypress Semiconductor
série:-
emballer:Tube
état de la pièce:Obsolete
type de mémoire:Volatile
formatage de la mémoire:SRAM
technologie:SRAM - Asynchronous
taille mémoire:1Mb (64K x 16)
interface mémoire:Parallel
fréquence d'horloge:-
temps de cycle d'écriture - mot, page:12ns
temps d'accès:12 ns
tension - alimentation:4.5V ~ 5.5V
température de fonctionnement:-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
paquet de dispositif de fournisseur:44-SOJ

CY7C1021BN-12VXI Documents

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