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NAND04GW3B2DN6E

NAND04GW3B2DN6E
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Numéro d'article NAND04GW3B2DN6E
LIXINC Part # NAND04GW3B2DN6E
Fabricant Micron Technology
Catégorie circuits intégrés › mémoire
Description IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO NAND04GW3B2DN6E Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Jul 08 - Jul 12 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

NAND04GW3B2DN6E Caractéristiques

Numéro d'article:NAND04GW3B2DN6E
Marque:Micron Technology
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Micron Technology
série:-
emballer:Tray
état de la pièce:Discontinued at Digi-Key
type de mémoire:Non-Volatile
formatage de la mémoire:FLASH
technologie:FLASH - NAND
taille mémoire:4Gb (512M x 8)
interface mémoire:Parallel
fréquence d'horloge:-
temps de cycle d'écriture - mot, page:25ns
temps d'accès:25 ns
tension - alimentation:2.7V ~ 3.6V
température de fonctionnement:-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
paquet de dispositif de fournisseur:48-TSOP

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