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CYDM256B16-40BVXI

CYDM256B16-40BVXI
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Numéro d'article CYDM256B16-40BVXI
LIXINC Part # CYDM256B16-40BVXI
Fabricant Cypress Semiconductor
Catégorie circuits intégrés › mémoire
Description IC SRAM 256KBIT PAR 100VFBGA
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO CYDM256B16-40BVXI Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

CYDM256B16-40BVXI Caractéristiques

Numéro d'article:CYDM256B16-40BVXI
Marque:Cypress Semiconductor
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Cypress Semiconductor
série:-
emballer:Tray
état de la pièce:Obsolete
type de mémoire:Volatile
formatage de la mémoire:SRAM
technologie:SRAM - Dual Port, MoBL
taille mémoire:256Kb (16K x 16)
interface mémoire:Parallel
fréquence d'horloge:-
temps de cycle d'écriture - mot, page:40ns
temps d'accès:40 ns
tension - alimentation:1.7V ~ 1.9V, 2.4V ~ 2.6V, 3V ~ 3.6V
température de fonctionnement:-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:100-VFBGA
paquet de dispositif de fournisseur:100-VFBGA (6x6)

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