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71V25761S183BG8

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Numéro d'article 71V25761S183BG8
LIXINC Part # 71V25761S183BG8
Fabricant Renesas Electronics America
Catégorie circuits intégrés › mémoire
Description IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO 71V25761S183BG8 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Jul 05 - Jul 09 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

71V25761S183BG8 Caractéristiques

Numéro d'article:71V25761S183BG8
Marque:Renesas Electronics America
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Renesas Electronics America
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)
état de la pièce:Active
type de mémoire:Volatile
formatage de la mémoire:SRAM
technologie:SRAM - Synchronous, SDR
taille mémoire:4.5Mb (128K x 36)
interface mémoire:Parallel
fréquence d'horloge:183 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:-
temps d'accès:3.3 ns
tension - alimentation:3.135V ~ 3.465V
température de fonctionnement:0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:119-BGA
paquet de dispositif de fournisseur:119-PBGA (14x22)

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