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IDT70P3307S233RM

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Numéro d'article IDT70P3307S233RM
LIXINC Part # IDT70P3307S233RM
Fabricant Renesas Electronics America
Catégorie circuits intégrés › mémoire
Description IC SRAM 18MBIT PAR 576FCBGA
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO IDT70P3307S233RM Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IDT70P3307S233RM Caractéristiques

Numéro d'article:IDT70P3307S233RM
Marque:Renesas Electronics America
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Renesas Electronics America
série:-
emballer:Tray
état de la pièce:Obsolete
type de mémoire:Volatile
formatage de la mémoire:SRAM
technologie:SRAM - Dual Port, Synchronous QDR II
taille mémoire:18Mb (1M x 18)
interface mémoire:Parallel
fréquence d'horloge:233 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:-
temps d'accès:7.2 ns
tension - alimentation:1.7V ~ 1.9V
température de fonctionnement:0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:576-BBGA, FCBGA
paquet de dispositif de fournisseur:576-FCBGA (25x25)

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