NAND512R3A2BZA6E

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Numéro d'article	NAND512R3A2BZA6E
LIXINC Part #	NAND512R3A2BZA6E
Fabricant	STMicroelectronics
Catégorie	circuits intégrés › mémoire
Description	IC FLSH 512MBIT PARALLEL 63VFBGA
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	NAND512R3A2BZA6E Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 18 - Oct 22 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

NAND512R3A2BZA6E Caractéristiques

Numéro d'article:	NAND512R3A2BZA6E
Marque:	STMicroelectronics
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	mémoire
Fabricant:	STMicroelectronics
série:	-
emballer:	Tray
état de la pièce:	Obsolete
type de mémoire:	Non-Volatile
formatage de la mémoire:	FLASH
technologie:	FLASH - NAND
taille mémoire:	512Mb (64M x 8)
interface mémoire:	Parallel
fréquence d'horloge:	-
temps de cycle d'écriture - mot, page:	60ns
temps d'accès:	60 ns
tension - alimentation:	1.7V ~ 1.95V
température de fonctionnement:	-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	63-VFBGA
paquet de dispositif de fournisseur:	63-VFBGA (8.5x15)

NAND512R3A2BZA6E Documents

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