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IDT7164S35YG8

IDT7164S35YG8
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Numéro d'article IDT7164S35YG8
LIXINC Part # IDT7164S35YG8
Fabricant Renesas Electronics America
Catégorie circuits intégrés › mémoire
Description IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28SOJ
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO IDT7164S35YG8 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Jul 05 - Jul 09 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IDT7164S35YG8 Caractéristiques

Numéro d'article:IDT7164S35YG8
Marque:Renesas Electronics America
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Renesas Electronics America
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)
état de la pièce:Obsolete
type de mémoire:Volatile
formatage de la mémoire:SRAM
technologie:SRAM - Asynchronous
taille mémoire:64Kb (8K x 8)
interface mémoire:Parallel
fréquence d'horloge:-
temps de cycle d'écriture - mot, page:35ns
temps d'accès:35 ns
tension - alimentation:4.5V ~ 5.5V
température de fonctionnement:0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
paquet de dispositif de fournisseur:28-SOJ

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