CY7C1354C-200BGXCT | Cypress Semiconductor CY7C1354C-200BGXCT | CY7C1354C-200BGXCT Inventory, Best Pricing

CY7C1354C-200BGXCT

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Numéro d'article	CY7C1354C-200BGXCT
LIXINC Part #	CY7C1354C-200BGXCT
Fabricant	Cypress Semiconductor
Catégorie	circuits intégrés › mémoire
Description	IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	CY7C1354C-200BGXCT Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 03 - Oct 07 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

CY7C1354C-200BGXCT Caractéristiques

Numéro d'article:	CY7C1354C-200BGXCT
Marque:	Cypress Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	mémoire
Fabricant:	Cypress Semiconductor
série:	NoBL™
emballer:	Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Obsolete
type de mémoire:	Volatile
formatage de la mémoire:	SRAM
technologie:	SRAM - Synchronous, ZBT
taille mémoire:	9Mb (256K x 36)
interface mémoire:	Parallel
fréquence d'horloge:	200 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:	-
temps d'accès:	3.2 ns
tension - alimentation:	3.135V ~ 3.6V
température de fonctionnement:	0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	119-BGA
paquet de dispositif de fournisseur:	119-PBGA (14x22)