BQ4011YMA-70N

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Numéro d'article BQ4011YMA-70N
LIXINC Part # BQ4011YMA-70N
Fabricant Texas Instruments
Catégorie circuits intégrésmémoire
Description IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO BQ4011YMA-70N Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

BQ4011YMA-70N Caractéristiques

Numéro d'article:BQ4011YMA-70N
Marque:Texas Instruments
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Texas Instruments
série:-
emballer:Tube
état de la pièce:Obsolete
type de mémoire:Non-Volatile
formatage de la mémoire:NVSRAM
technologie:NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
taille mémoire:256Kb (32K x 8)
interface mémoire:Parallel
fréquence d'horloge:-
temps de cycle d'écriture - mot, page:70ns
temps d'accès:70 ns
tension - alimentation:4.5V ~ 5.5V
température de fonctionnement:-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:Through Hole
paquet / caisse:28-DIP Module (0.61", 15.49mm)
paquet de dispositif de fournisseur:28-DIP Module (18.42x37.72)

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