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MB85RS2MTYPN-G-AWEWE1

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Numéro d'article	MB85RS2MTYPN-G-AWEWE1
LIXINC Part #	MB85RS2MTYPN-G-AWEWE1
Fabricant	Fujitsu Electronics America, Inc.
Catégorie	circuits intégrés › mémoire
Description	IC FRAM 2MBIT SPI 50MHZ 8DFN
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	MB85RS2MTYPN-G-AWEWE1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 29 - Nov 02 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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MB85RS2MTYPN-G-AWEWE1 Caractéristiques

Numéro d'article:	MB85RS2MTYPN-G-AWEWE1
Marque:	Fujitsu Electronics America, Inc.
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	mémoire
Fabricant:	Fujitsu Electronics America, Inc.
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type de mémoire:	Non-Volatile
formatage de la mémoire:	FRAM
technologie:	FRAM (Ferroelectric RAM)
taille mémoire:	2Mb (256K x 8)
interface mémoire:	SPI
fréquence d'horloge:	50 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:	-
temps d'accès:	-
tension - alimentation:	1.8V ~ 3.6V
température de fonctionnement:	-40°C ~ 125°C (TA)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	8-VDFN Exposed Pad
paquet de dispositif de fournisseur:	8-DFN (5x6)

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Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$4.92635	$4.92635

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