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MT40A1G8Z11BWC1

MT40A1G8Z11BWC1
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Numéro d'article MT40A1G8Z11BWC1
LIXINC Part # MT40A1G8Z11BWC1
Fabricant Micron Technology
Catégorie circuits intégrés › mémoire
Description IC DRAM 8GBIT PARALLEL WAFER
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO MT40A1G8Z11BWC1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Jul 08 - Jul 12 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

MT40A1G8Z11BWC1 Caractéristiques

Numéro d'article:MT40A1G8Z11BWC1
Marque:Micron Technology
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Micron Technology
série:-
emballer:Tray
état de la pièce:Active
type de mémoire:Volatile
formatage de la mémoire:DRAM
technologie:SDRAM - DDR4
taille mémoire:8Gb (1G x 8)
interface mémoire:Parallel
fréquence d'horloge:-
temps de cycle d'écriture - mot, page:-
temps d'accès:-
tension - alimentation:1.14V ~ 1.26V
température de fonctionnement:-
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:Die
paquet de dispositif de fournisseur:Wafer

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