MT29F512G08EBHAFB17A3WC1-R

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Numéro d'article MT29F512G08EBHAFB17A3WC1-R
LIXINC Part # MT29F512G08EBHAFB17A3WC1-R
Fabricant Micron Technology
Catégorie circuits intégrésmémoire
Description IC FLASH 512GBIT DIE
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO MT29F512G08EBHAFB17A3WC1-R Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 07 - Oct 11 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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MT29F512G08EBHAFB17A3WC1-R Caractéristiques

Numéro d'article:MT29F512G08EBHAFB17A3WC1-R
Marque:Micron Technology
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Micron Technology
série:-
emballer:Bulk
état de la pièce:Active
type de mémoire:Non-Volatile
formatage de la mémoire:FLASH
technologie:FLASH - NAND (TLC)
taille mémoire:512Gb (64G x 8)
interface mémoire:Parallel
fréquence d'horloge:-
temps de cycle d'écriture - mot, page:-
temps d'accès:-
tension - alimentation:2.5V ~ 3.6V
température de fonctionnement:0°C ~ 70°C
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:Die
paquet de dispositif de fournisseur:Die

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