MT53D512M64D4NZ-046 WT:E TR

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Numéro d'article MT53D512M64D4NZ-046 WT:E TR
LIXINC Part # MT53D512M64D4NZ-046 WT:E TR
Fabricant Micron Technology
Catégorie circuits intégrésmémoire
Description IC DRAM 32GBIT 2133MHZ 376WFBGA
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO MT53D512M64D4NZ-046 WT:E TR Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 06 - Oct 10 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
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MT53D512M64D4NZ-046 WT:E TR Caractéristiques

Numéro d'article:MT53D512M64D4NZ-046 WT:E TR
Marque:Micron Technology
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Micron Technology
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)
état de la pièce:Active
type de mémoire:Volatile
formatage de la mémoire:DRAM
technologie:SDRAM - Mobile LPDDR4
taille mémoire:32Gb (512M x 64)
interface mémoire:-
fréquence d'horloge:2.133 GHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:-
temps d'accès:-
tension - alimentation:1.1V
température de fonctionnement:-30°C ~ 85°C (TC)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:376-WFBGA
paquet de dispositif de fournisseur:376-WFBGA (14x14)

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