IS43QR16512A-083TBLI

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Numéro d'article IS43QR16512A-083TBLI
LIXINC Part # IS43QR16512A-083TBLI
Fabricant ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Catégorie circuits intégrésmémoire
Description IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96TWBGA
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO IS43QR16512A-083TBLI Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 07 - Oct 11 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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IS43QR16512A-083TBLI Caractéristiques

Numéro d'article:IS43QR16512A-083TBLI
Marque:ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
série:-
emballer:Tray
état de la pièce:Active
type de mémoire:Volatile
formatage de la mémoire:DRAM
technologie:SDRAM - DDR4
taille mémoire:8Gb (512M x 16)
interface mémoire:Parallel
fréquence d'horloge:1.2 GHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:15ns
temps d'accès:19 ns
tension - alimentation:1.14V ~ 1.26V
température de fonctionnement:-40°C ~ 95°C (TC)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:96-TFBGA
paquet de dispositif de fournisseur:96-TWBGA (10x14)

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