CY7C1360C-200AXCKJ

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Numéro d'article CY7C1360C-200AXCKJ
LIXINC Part # CY7C1360C-200AXCKJ
Fabricant Rochester Electronics
Catégorie circuits intégrésmémoire
Description CACHE SRAM, 256KX36, 3.5NS
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO CY7C1360C-200AXCKJ Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 09 - Oct 13 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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CY7C1360C-200AXCKJ Caractéristiques

Numéro d'article:CY7C1360C-200AXCKJ
Marque:Rochester Electronics
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Rochester Electronics
série:-
emballer:Bulk
état de la pièce:Active
type de mémoire:Volatile
formatage de la mémoire:SRAM
technologie:SRAM - Synchronous, SDR
taille mémoire:9Mb (256K x 36)
interface mémoire:Parallel
fréquence d'horloge:200 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:-
temps d'accès:3 ns
tension - alimentation:3.135V ~ 3.6V
température de fonctionnement:0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:100-LQFP
paquet de dispositif de fournisseur:100-TQFP (14x20)

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