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7164S35TDB

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Numéro d'article 7164S35TDB
LIXINC Part # 7164S35TDB
Fabricant Renesas Electronics America
Catégorie circuits intégrés › mémoire
Description IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO 7164S35TDB Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 10 - Oct 14 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

7164S35TDB Caractéristiques

Numéro d'article:7164S35TDB
Marque:Renesas Electronics America
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Renesas Electronics America
série:-
emballer:Tube
état de la pièce:Active
type de mémoire:Volatile
formatage de la mémoire:SRAM
technologie:SRAM - Asynchronous
taille mémoire:64Kb (8K x 8)
interface mémoire:Parallel
fréquence d'horloge:-
temps de cycle d'écriture - mot, page:35ns
temps d'accès:35 ns
tension - alimentation:4.5V ~ 5.5V
température de fonctionnement:-55°C ~ 125°C (TA)
Type de montage:Through Hole
paquet / caisse:28-CDIP (0.300", 7.62mm)
paquet de dispositif de fournisseur:28-CDIP

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