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DS1265AB-100+

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Numéro d'article DS1265AB-100+
LIXINC Part # DS1265AB-100+
Fabricant Rochester Electronics
Catégorie circuits intégrés › mémoire
Description IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO DS1265AB-100+ Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

DS1265AB-100+ Caractéristiques

Numéro d'article:DS1265AB-100+
Marque:Rochester Electronics
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Rochester Electronics
série:-
emballer:Bulk
état de la pièce:Active
type de mémoire:Non-Volatile
formatage de la mémoire:NVSRAM
technologie:NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
taille mémoire:8Mb (1M x 8)
interface mémoire:Parallel
fréquence d'horloge:-
temps de cycle d'écriture - mot, page:100ns
temps d'accès:100 ns
tension - alimentation:4.75V ~ 5.25V
température de fonctionnement:0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage:Through Hole
paquet / caisse:36-DIP Module (0.600", 15.24mm)
paquet de dispositif de fournisseur:36-EDIP

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