MT29E2T08CUHBBM4-3:B

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Numéro d'article MT29E2T08CUHBBM4-3:B
LIXINC Part # MT29E2T08CUHBBM4-3:B
Fabricant Micron Technology
Catégorie circuits intégrésmémoire
Description IC FLASH 2TB PARALLEL 333MHZ
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO MT29E2T08CUHBBM4-3:B Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 17 - Oct 21 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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MT29E2T08CUHBBM4-3:B Caractéristiques

Numéro d'article:MT29E2T08CUHBBM4-3:B
Marque:Micron Technology
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Micron Technology
série:-
emballer:Tray
état de la pièce:Not For New Designs
type de mémoire:Non-Volatile
formatage de la mémoire:FLASH
technologie:FLASH - NAND
taille mémoire:2Tb (256G x 8)
interface mémoire:Parallel
fréquence d'horloge:333 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:-
temps d'accès:-
tension - alimentation:2.5V ~ 3.6V
température de fonctionnement:0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage:-
paquet / caisse:-
paquet de dispositif de fournisseur:-

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