MT29F512G08EBHBFJ4-T:B TR

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Numéro d'article MT29F512G08EBHBFJ4-T:B TR
LIXINC Part # MT29F512G08EBHBFJ4-T:B TR
Fabricant Micron Technology
Catégorie circuits intégrésmémoire
Description IC FLSH 512GBIT PARALLEL 132VBGA
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO MT29F512G08EBHBFJ4-T:B TR Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 18 - Oct 22 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
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MT29F512G08EBHBFJ4-T:B TR Caractéristiques

Numéro d'article:MT29F512G08EBHBFJ4-T:B TR
Marque:Micron Technology
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Micron Technology
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)
état de la pièce:Active
type de mémoire:Non-Volatile
formatage de la mémoire:FLASH
technologie:FLASH - NAND (TLC)
taille mémoire:512Gb (64G x 8)
interface mémoire:Parallel
fréquence d'horloge:-
temps de cycle d'écriture - mot, page:-
temps d'accès:-
tension - alimentation:2.5V ~ 3.6V
température de fonctionnement:0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:132-VBGA
paquet de dispositif de fournisseur:132-VBGA (12x18)

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