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EM6AA160TSE-4IG

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Numéro d'article	EM6AA160TSE-4IG
LIXINC Part #	EM6AA160TSE-4IG
Fabricant	Etron Technology
Catégorie	circuits intégrés › mémoire
Description	IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	EM6AA160TSE-4IG Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Jul 15 - Jul 19 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
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EM6AA160TSE-4IG Caractéristiques

Numéro d'article:	EM6AA160TSE-4IG
Marque:	Etron Technology
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	mémoire
Fabricant:	Etron Technology
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Active
type de mémoire:	Volatile
formatage de la mémoire:	DRAM
technologie:	SDRAM - DDR
taille mémoire:	256Mb (16M x 16)
interface mémoire:	Parallel
fréquence d'horloge:	250 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:	15ns
temps d'accès:	700 ps
tension - alimentation:	2.3V ~ 2.7V
température de fonctionnement:	-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
paquet de dispositif de fournisseur:	66-TSOP II

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Qty.	Unit Price	Ext. Price
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