MT53E256M16D1DS-046 AAT:B TR

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Numéro d'article MT53E256M16D1DS-046 AAT:B TR
LIXINC Part # MT53E256M16D1DS-046 AAT:B TR
Fabricant Micron Technology
Catégorie circuits intégrésmémoire
Description IC DRAM LPDDR4 WFBGA
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO MT53E256M16D1DS-046 AAT:B TR Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Jul 08 - Jul 12 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

MT53E256M16D1DS-046 AAT:B TR Caractéristiques

Numéro d'article:MT53E256M16D1DS-046 AAT:B TR
Marque:Micron Technology
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Micron Technology
série:Automotive, AEC-Q100
emballer:Tape & Reel (TR)
état de la pièce:Active
type de mémoire:Volatile
formatage de la mémoire:DRAM
technologie:SDRAM - Mobile LPDDR4
taille mémoire:4Gb (256M x 16)
interface mémoire:-
fréquence d'horloge:2.133 GHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:-
temps d'accès:-
tension - alimentation:1.1V
température de fonctionnement:-40°C ~ 105°C (TC)
Type de montage:-
paquet / caisse:-
paquet de dispositif de fournisseur:-

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