TC58CYG1S3HRAIJ

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Numéro d'article TC58CYG1S3HRAIJ
LIXINC Part # TC58CYG1S3HRAIJ
Fabricant Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
Catégorie circuits intégrésmémoire
Description IC FLASH 2GBIT SPI 133MHZ 8WSON
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO TC58CYG1S3HRAIJ Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 07 - Oct 11 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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TC58CYG1S3HRAIJ Caractéristiques

Numéro d'article:TC58CYG1S3HRAIJ
Marque:Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
série:-
emballer:Tray
état de la pièce:Active
type de mémoire:Non-Volatile
formatage de la mémoire:FLASH
technologie:FLASH - NAND (SLC)
taille mémoire:2Gb (256M x 8)
interface mémoire:SPI
fréquence d'horloge:133 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:-
temps d'accès:180 µs
tension - alimentation:1.7V ~ 1.95V
température de fonctionnement:-40°C ~ 85°C
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:8-WDFN Exposed Pad
paquet de dispositif de fournisseur:8-WSON (6x8)

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