EM6AA160TSE-4G

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Numéro d'article EM6AA160TSE-4G
LIXINC Part # EM6AA160TSE-4G
Fabricant Etron Technology
Catégorie circuits intégrésmémoire
Description IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO EM6AA160TSE-4G Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

EM6AA160TSE-4G Caractéristiques

Numéro d'article:EM6AA160TSE-4G
Marque:Etron Technology
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Etron Technology
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)
état de la pièce:Active
type de mémoire:Volatile
formatage de la mémoire:DRAM
technologie:SDRAM - DDR
taille mémoire:256Mb (16M x 16)
interface mémoire:Parallel
fréquence d'horloge:250 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:15ns
temps d'accès:700 ps
tension - alimentation:2.3V ~ 2.7V
température de fonctionnement:0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
paquet de dispositif de fournisseur:66-TSOP II

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